当前位置:
山东中临半导体新材料有限公司 > 产品中心 >

氮化铝(AIN)

氮化铝(AIN)
  • 品牌:中临半导体
  • 产地:山东
  • 关注度:69
  • 型号:(AIN)
  • 报价:面议
核心参数
  • 仪器种类:实验室
  • 测定原理:其它
  • 测定范围:0.01~5mg/L
  • 测定准确度:±1%
  • 检出限 :≤0.005mg/L
  • 测定时间:30样品/小时
  • 批处理量:不限
产品介绍

氮化铝是由铝原子为中心和临近的4个氮原子组成的结构稳定的六方纤锌矿共价化合物,其晶体结构类似于金刚石,禁带宽度为6.2eV,外观为白色或灰白色粉末。本征热导率极高,超过金属铝,接近铜,**为320W/mK,是目前热导率**综合性能*为优异的功能陶瓷材料之一。氮化铝凭借其高热导率、与硅匹配的热膨胀系数、高电阻率、高击穿强度和高机械性能,成为半导体及相关领域的关键材料,具有广阔的应用前景。

优异性能:

1、超高热导率:热导率是氧化铝陶瓷的5-10倍,与氧化铍(BeO)相当,可达200W/mK以上,适合高效散热。

2、与硅匹配的热膨胀系数:热膨胀系数为4.3×10/K,与半导体硅材料(3.5-4.0×10/K)高度匹配,减少热应力,提升器件可靠性。

3、优异的机械性能:抗弯强度高于氧化铍陶瓷,接近氧化铝,适合高机械强度要求的应用。

4、优良的电性能:具有极高的绝缘电阻和低介质损耗,适合高频、高功率电子器件。

5、良好的电路材料相容性:支持多层布线,实现封装的高密度和小型化,适合现代电子封装需求。

6、无毒环保:符合欧盟ROHS标准,可替代有毒材料,如氧化铍。


相关产品

更多
六方氮化硼(h-BN)

型号:(h-BN)

面议
氮化硅(Si3N4)

型号:(Si3N4)

面议
六方氮化硼(h-BN)

型号:(h-BN)

面议
氮化硅(Si3N4)

型号:(Si3N4)

面议

山东中临半导体新材料有限公司

高级会员

已认证

立即询价
提交后,商家将派代表为您专人服务
立即发送
点击提交代表您同意 《用户服务协议》
×

*产品类别

*留言内容

*联系人

*单位名称

*电子邮箱

*手机号

*验证码

提交
点击提交代表您同意 《用户服务协议》《隐私协议》