深圳市重投天科半导体有限公司

深圳市重投天科半导体有限公司（以下简称“重投天科”）成立于2020年12月15日，是一家专业从事第三代半导体碳化硅（SiC）衬底及外延的研发、生产和销售的高新技术企业。重投天科的成立是深圳市政府党组（扩大）会议审定通过的项目建设方案，是由深圳市重大产业投资集团有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、深圳市和合创芯微半导体合伙企业（有限合伙）以及产业资本出资构成的项目实施主体，注册地址为深圳市宝安区石岩街道。2022年6月29日，重投天科引入动力电池龙头企业宁德时代新能源科技股份有限公司。以碳化硅为代表的第三代宽禁带半导体材料是继硅以后*有行业前景的半导体材料之一，相比硅等**代单质半导体其在

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主推产品

导电型4H-SiC衬底晶片

型号：350 μm ± 15 μm

导电型4H-SiC衬底晶片晶片尺寸：4~6英寸晶片厚度：350μm±15μm电阻率：0.015~0.024Ω·cm产品用途：产品主要于制造SiC电力电子器件及SiC衬底上GaN光电子器件。

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导电型4H-SiC外延晶片

型号：1E15—1E18 cm^（-3）

深圳市重投天科半导体有限公司为客户提供低缺陷密度高均匀性的4、6英寸n型4H-SiC外延晶片，其中外延层厚度为1μm至35μm，掺杂浓度为1E15—1E18cm^（-3）。产品主要用于制造结势垒肖特基功率二极管（JBS）、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和结型场效应晶体管（JFET）。其应用领域包括白色家电等消费电子、电动汽车、轨道交通、国家电网、航空航天、军民融合和机载舰载电源等。

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